电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SZ6B75CS

产品描述Zener Diode, 75V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小142KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 全文预览

SZ6B75CS概述

Zener Diode, 75V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-1

SZ6B75CS规格参数

参数名称属性值
厂商名称SSDI
包装说明O-MUPM-X1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-MUPM-X1
元件数量1
端子数量1
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散10 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压75 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA

文档预览

下载PDF文档
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SZ6A7.5 thru SZ6A270
and
SZ6B7.5 thru SZ6B270
6.0W, 8.0W, and 10W
7.5 – 270 VOLTS
ZENER DIODES
DESIGNER’S DATA SHEET
FEATURES:
Hermetically Sealed in Glass
Axial Lead Rated at 6 Watts
Stud Mount Rated at 8 Watts
Surface Mount Rated at 10 Watts
Available to TX, TXV, and Space Levels
5/
Available in 10% and 5% Tolerances. For other Voltage
Tolerances, Contact Factory.
Maximum Ratings
Nominal Zener Voltage
Forward Surge Current
8.3 msec pulse
Zener Current
Continuous Power
Axial
V
C, SMS
Axial
V
C, SMS
Symbol
Value
Units
V
Z
I
FSM
I
ZM
P
D
Top,
Tstg
R
θJL
R
θJE
R
θJS
7.5 - 270
1 - 44
20.4 - 750
27.2 - 1000
34 - 1250
6
8
10
V
A
mA
W
ºC
AXIAL (__)
DIM
A
B
C
D
MIN.
---
---
.047”
1.00”
MAX
.158”
.185”
.053”
---
All dimensions are prior to soldering
Operating and Storage Temp.
Thermal Resistance,
Junction to Lead, L=3/8” (for Axial)
Junction to End Cap (for SMS)
Junction to Stud (for C and V)
-65 to +175
34
7
10
MINISTUD (C)
ºC/W
All dimensions are prior to soldering
Part Number/Ordering Information
4/
SZ6
__ __
__ __
Screening
5/
__
= Not Screened
TX = TX Level
TXV = TXV
S = S Level
Package Type
__
= Axial Leaded
C = Ministud (CR for Reverse Polarity)
V = Isolated Ministud (VR for Reverse
Polarity)
SMS = Surface Mount Square Tab
3/
ISOLATED MINISTUD (V)
All dimensions are prior to
soldering
Voltage/Family
3.3 thru 100 = 3.3V thru 100V, See Table on Page 2
DIM
A
B
C
D
MIN.
.155”
.190”
.023”
Body to Tab Clearance: .001”
Voltage Tolerance
A = 10% Voltage Tolerance
B = 5% Voltage Tolerance
MAX.
.185”
.220”
.027”
SQUARE TAB (SMS)
All dimensions are prior to soldering
NOTE:
All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: Z00005F
DOC
应对IC多变性挑战,“趣味”新方法获得业界认可
国际物理设计研讨会(ISPD 2007) “最佳论文”奖提出了一种针对纳米IC多变性挑战的新方法,融合了用后硅片修复的设计优化。它概括了面向良品率设计(DFY)和可制造性设计(DFM)方法论的潜在研究方向 ......
gfd FPGA/CPLD
LPC54608开发板的性能及资源配置
有了前面的相关介绍,一些网友还觉得不够过瘾,下面就看一看该开发板的性能及资源配置吧。开发板的配置情况如下:u 272x480彩色LCD电容触摸屏u 板载高速USB,Link2调试探头(带CMSIS-DAP以及SEG ......
jinglixixi NXP MCU
EEWORLD大学堂----信号与系统(西电精品课程)
信号与系统(西电精品课程):https://training.eeworld.com.cn/course/3857...
量子阱 无线连接
富士通FRAM心得提交——MB85RC64
本帖最后由 ltbytyn 于 2013-12-27 14:22 编辑 本文中将使用MB85RC64来代指MB85RC64PNF_G_JNERE1。 前段时间申请到了富士通的MB85RC64(FRAM,铁电随机存取存储器)。看资料MB85RC64与传 ......
ltbytyn 综合技术交流
TIcc2541写Flash问题
关于cc2541的擦写FLASH以及读FLASH的函数 1.HalFlashWrite(uint16 addr, uint8 *buf, uint16 cnt); ......
sbjy3814 无线连接
【平头哥RVB2601创意应用开发】8 超过一定数量的字母没被击落,显示游戏结束
超过一定数量的字母没有被击落而自然落下,则显示游戏结束。这其实就类似塔防。 为了实现这个功能,首先要设置一个变量,记录数量: int enemy_go_home=0; 其次,还需要设置一个lvgl ......
cybertovsky 玄铁RISC-V活动专区

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2023  2582  989  2802  751  53  51  14  39  9 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved