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FFA30U60DNTU_NL

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FFA30U60DNTU_NL概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN

FFA30U60DNTU_NL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-3P
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY POWER
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.09 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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FFA30U60DN
FFA30U60DN
Features
• High voltage and high reliability
• High speed switching
• Low forward voltage
Applications
General purpose
Switching mode power supply
Free-wheeling diode for motor application
Power switching circuits
TO-3PN
1
2
3
1. Anode 2.Cathode 3. Anode
ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J,
T
STG
(per diode) T
C
=25°C unless otherwise noted
°
Value
600
@ T
C
= 100°C
30
180
- 65 to +150
Units
V
A
A
°C
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Non-repetitive Peak Surge Current
60Hz Single Half-Sine Wave
Operating Junction and Storage Temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R
θJC
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case
(per diode) T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Min.
T
C
= 25
°C
T
C
= 100
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 100
°C
-
-
-
-
-
-
-
1.0
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
2.3
2.1
µA
15
150
90
8
360
-
ns
A
nC
mJ
Units
V
Value
0.8
Units
°C/W
Electrical Characteristics
Symbol
V
FM
*
Parameter
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 30A
I
F
= 30A
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
Maximum Reverse Recovery Time
Maximum Reverse Recovery Current
Maximum Reverse Recovery Charge
(I
F
=30A, di/dt = 200A/µs)
Avalanche Energy
I
RM
*
t
rr
I
rr
Q
rr
W
AVL
* Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle=2%
©2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. F, September 2000

 
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