IRFY430M-T257R1,IRFY430M-T257R1 pdf中文资料,IRFY430M-T257R1引脚图,IRFY430M-T257R1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFY430M-T257R1

IRFY430M-T257R1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小21KB，共2页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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IRFY430M-T257R1概述

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,

IRFY430M-T257R1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A
最大漏源导通电阻	1.84 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	18 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

IRFY430M-T257R1相似产品对比

	IRFY430M-T257R1	IRFY430M-T257
描述	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,
是否Rohs认证	符合	不符合
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	1.84 Ω	1.84 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA	TO-257AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	18 A	18 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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