电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IRF7779L2TRPBF

产品描述11 A, 150 V, 0.0011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IRF7779L2TRPBF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IRF7779L2TRPBF - - 点击查看 点击购买

IRF7779L2TRPBF概述

11 A, 150 V, 0.0011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

11 A, 150 V, 0.0011 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

IRF7779L2TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N9
针数9
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)270 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)67 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.0011 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N9
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量9
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)270 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 514  900  1230  1300  1678 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved