11 A, 150 V, 0.0011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
11 A, 150 V, 0.0011 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N9 |
针数 | 9 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 270 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 67 A |
最大漏极电流 (ID) | 11 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0011 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N9 |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 9 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 270 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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