电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRF7759L2TRPBF

产品描述26 A, 75 V, 0.0023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IRF7759L2TRPBF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IRF7759L2TRPBF - - 点击查看 点击购买

IRF7759L2TRPBF概述

26 A, 75 V, 0.0023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

26 A, 75 V, 0.0023 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

IRF7759L2TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N9
针数9
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)257 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)113 A
最大漏极电流 (ID)26 A
最大漏源导通电阻0.0023 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N9
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量9
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)640 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
Benchmark MOSFETs | Selection Guide
Broad Portfolio of MOSFETS Targeting Multiple Market Segments
Industrial
Power Supply
Key Differentiators
• Industry brand leader in MOSFETs
• Leading performance MOSFETs
• Industry reputation for quality
• Broad product portfolio
• Widest range of packages up to 250V
Consumer/ Data
Processing
Key Products
• Discrete HEXFET
®
MOSFETs
• Dual HEXFET
®
MOSFETs
• FETKY
®
For a full list of the automotive MOSFETs please visit www.irf.com
Power QFN
FEATURES
• Industry brand leader in
MOSFET
• Benchmark thermal
performance
• Lowest R
DS(ON)
DirectFET
Large Can
DirectFET
®
Medium Can
DirectFET
®
®
30% larger
die than
D
2
Pak
and a 60%
reduction in
board space
Same die
size as
D-Pak,
54%
reduction in
board space
D
2
Pak
D-Pak
PQFN 5x6
Small Can
DirectFET
®
40% smaller
footprint
than
SO-8
SO-8
International Rectifier’s DirectFET
®
power package is a breakthrough
surface-mount power MOSFET packaging technology designed for
efficient topside cooling in combination with improved bottom-side
cooling, the new package can be cooled on both sides to cut part
count by up to 60%, and board space by as much as 50% compared to
devices in standard or enhanced SO-8 packages.
THE IR ADVANTAGE
Competitive R
DS(ON)
comparison made Q4 09
International Rectifier will release an expansive
portfolio of PQFN benchmark MOSFETs in early CY10.
Increases current density
Cuts MOSFET part count by 60%
Reduces PCB space by 50%
Up to 50°C lower operating temperature
increases reliability
Lower total system cost
Ultra low package resistance and
inductance
Industry lowest On-Resistance
Compatible with existing surface mount
techniques
Double-sided cooling for superior
thermal performance
For additional information on International Rectifier’s MOSFETs and other products call +1.800.981.8699 or +49.6102.884.311 or visit us at
www.irf.com
怎样用代码使托盘中的程序显示出来呢?
我现在在wince下用程序调用了蒙恬输入法,可是调起后会在右下角显示一个箭头,并不是直接在屏幕上显示输入的那个操作界面,怎样才能通过代码实现让蒙恬输入法的操作界面显示出来呢?...
jielii 嵌入式系统
FPGA(cyclone4)开发板免费助学计划
119157FPGA(cyclone4)开发板免费助学计划第二期——板卡大升级已经开始,欢迎大家参与!意义:使用EEWORLD论坛FPGA/CPLD版块中资深网友KDY博客中的开发板进行FPGA学习和研究。要求:1、初学者可 ......
EEWORLD社区 FPGA/CPLD
高稳定性低频振荡电路???
不知哪位高人有高稳定性低频振荡电路,频率范围10-1000HZ可调,稳定性在0.2%以下.输出波形要正弦波....
wu086 微控制器 MCU
EETALK——ADI以148亿美元收购模拟巨头Linear(凌力尔特)
ADI宣布收购Linear Technology(凌力尔特)。ADI以每股46美元现金加上0.2321:1比例的换股买下了凌力尔特,整个收购价为148亿美元。 收购完成后,两家公司的市值接近300亿美元,ADI也将仅次于 ......
eric_wang 聊聊、笑笑、闹闹
怎样build出dll
改动了public下的文件,不想整个项目重新编,想单独编。 在控制台中,使用build,结果编出了lib,可系统使用的是dll。 要怎样才能得到dll?...
qdjxll 嵌入式系统
一周精彩回顾:2018.4.30-5.6
hello,大家早上好~~又是崭新的一天~开开心心~~在刚刚过去的一周,咱们论坛又有许多精彩的好料出炉了~快来看看吧~ 精彩帖子推荐: @通宵敲代码 WS2812灯珠的STM32驱动方式——by 通宵敲 ......
okhxyyo 能源基础设施

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2525  372  2554  715  2781  34  51  45  52  55 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved