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IRF6709S2TRPBF

产品描述23 A, 40 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRF6709S2TRPBF在线购买

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IRF6709S2TRPBF概述

23 A, 40 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

23 A, 40 V, 0.0034 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

IRF6709S2TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)51 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)39 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.0078 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)21 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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