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MR820

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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MR820概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-27,

MR820规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

MR820相似产品对比

MR820 MR822 MR821 MR824
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 50 V 200 V 100 V 400 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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