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MVSMBGP6KE13CAE3TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小216KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MVSMBGP6KE13CAE3TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

MVSMBGP6KE13CAE3TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-215AA
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压13.7 V
最小击穿电压12.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-215AA
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.38 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压11.1 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
RTC校准应用笔记中文版,望置顶
我翻译的,大家多多指教!...
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