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RD12SB1

产品描述Zener Diode, 11.66V V(Z), 2.4%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共10页
制造商NEC(日电)
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RD12SB1概述

Zener Diode, 11.66V V(Z), 2.4%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

RD12SB1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压11.66 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.4%
工作测试电流5 mA

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0S to RD120S
ZENER DIODES
200 mW 2 PIN SUPER MINI MOLD
DESCRIPTION
Type RD2.0S to RD120S series are 2 pin super mini
mold package zener diodes possessing an allowable
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
2.5±0.15
1.7±0.1
FEATURES
Sharp breakdown characteristic.
V
Z
: Applied E24 standard.
0.19
Cathode
Indication
Circuit for constant voltage, constant current, wave form
clipper, surge absorver, etc.
0.11
+0.05
−0.01
0±0.05
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Power Dissipation
Forward Current
Reverse Surge Power
Junction Temperature
Storage Temperature
P
I
F
P
RSM
T
j
T
stg
200
100
85
150
–55 to +150
mW
mA
W
°C
°C
(at t = 10
µ
s/ 1 pulse) Show Fig.12
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availability and additional information.
Document No.
D11444EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published March 2002 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
5
shows major revised points.
0.9±0.1
APPLICATIONS
0.3±0.05
1.25±0.1
power dissipation of 200 mW.
©
1995
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