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RD9.1UJN1

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 2.53%, 0.15W, Silicon, Unidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB,共8页
制造商NEC(日电)
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RD9.1UJN1概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 2.53%, 0.15W, Silicon, Unidirectional

RD9.1UJN1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.53%
工作测试电流0.5 mA

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD4.7UJ to RD39UJ
LOW NOISE SHARP BREAKDOWN CHARACTERISTICS
ZENER DIODES
2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD
DESCRIPTION
Type RD4.7UJ to RD39UJ Series are 2PIN Ultra Super Mini
Mold Package zener diodes possessing an allowable power
dissipation of 150 mW featuring low noise and sharp break-
down characteristic. They are intended for use in audio equip-
0.3±0.05
0.8±0.1
0.15
0.11+0.05
–0.01
0±0.05
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
ment, instrument equipment.
2.1±0.1
1.3±0.1
FEATURES
• Low Noise
• Sharp Breakdown characteristics
• V
z
; Applied E24 standard
APPLICATIONS
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform
clipper, Surge absorber, etc.
Cathode
Indication
MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Power Dissipation
Forward Current
Reverse Surge Power
P
I
F
P
RSM
150 mW
100 mA
2.2 W
(at t = 10
µ
s/1 pulse)
Show Fig. 6
Junction Temperature
Storage Temperature
T
j
T
stg
150
°C
–55 to +150
°C
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability
and additional information.
Document No. D13938EJ3V0DS00 (3rd edition)
(Previous No. DC-2135)
Date Published March 1999 N CP(K)
Printed in Japan
©
0.7±0.1
1993
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