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RD6.8UMB3-T1

产品描述Zener Diode, 6.8V V(Z), 2.43%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共8页
制造商NEC(日电)
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RD6.8UMB3-T1概述

Zener Diode, 6.8V V(Z), 2.43%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

RD6.8UMB3-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.8 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.43%
工作测试电流5 mA

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0UM to RD39UM
ZENER DIODES
2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD
DESCRIPTION
Type RD2.0UM to RD39UM Series are 2-pin
Ultra Super Mini Mold Package zener diodes
possessing an allowable power dissipation of 150
mW.
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
1.3±0.1
FEATURES
• Sharp Breakdown characteristics
• V
Z
; Applied E24 standard
APPLICATIONS
Circuits for Constant Voltage, Constant Current,
Waveform clipper, Surge absorber, etc.
0.15
0.11
+0.05
–0.01
0.7±0.1
Cathode
Indication
MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Power Dissipation
Forward Current
Reverse Surge Power
Junction Temperature
Storage Temperature
P
I
F
P
RSM
T
j
T
stg
150 mW
100 mA
85 W (at t = 10
µ
s/1 pulse) See Fig. 6.
150
°C
–55 to +155
°C
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confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability
and additional information.
Document No. D13562EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. DC-2136)
Date Published March 1999 N CP(K)
Printed in Japan
0±0.05
0.3±0.05
0.8±0.1
2.1±0.1
©
1993
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