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NAND08GR3B2CZB1E

产品描述1GX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63
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文件大小1MB,共59页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND08GR3B2CZB1E概述

1GX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63

NAND08GR3B2CZB1E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度9.5 mm
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