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NAND01GW4A2AZB1T

产品描述Flash, 64MX16, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
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文件大小917KB,共57页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND01GW4A2AZB1T概述

Flash, 64MX16, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63

NAND01GW4A2AZB1T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度11 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型SLC NAND TYPE
宽度9 mm

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NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
Up to 1 Gbit memory array
Up to 32 Mbit spare area
Cost effective solutions for mass storage
applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
Figure 1. Packages
NAND INTERFACE
TSOP48 12 x 20mm
SUPPLY VOLTAGE
PAGE SIZE
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
x16 device: (256 + 8 spare) Words
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
x16 device: (8K + 256 spare) Words
Random access: 12µs (max)
Sequential access: 50ns (min)
Page program time: 200µs (typ)
Fast page copy without external buffering
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
BLOCK SIZE
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm
PAGE READ / PROGRAM
DATA INTEGRITY
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
Error Correction Code software and
hardware models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
File System OS Native reference software
Hardware simulation models
COPY BACK PROGRAM MODE
FAST BLOCK ERASE
Block erase time: 2ms (Typ)
RoHS COMPLIANCE
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
Simple interface with microcontroller
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
Program/Erase locked during Power
transitions
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February 2005
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