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KMMR18R4GC1L-G6

产品描述Rambus DRAM Module, 64MX18, 53ns, CMOS, PDMA184
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文件大小166KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMMR18R4GC1L-G6概述

Rambus DRAM Module, 64MX18, 53ns, CMOS, PDMA184

KMMR18R4GC1L-G6规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明DIMM, DIMM184,40
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间53 ns
最大时钟频率 (fCLK)600 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N184
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度18
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
组织64MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL

KMMR18R4GC1L-G6相似产品对比

KMMR18R4GC1L-G6 KMMR18R48C1L-G6 KMMR18R4GC1-M8 KMMR18R48C1-K8 KMMR18R4GC1-K8 KMMR18R4GC1-G6 KMMR18R48C1-G6 KMMR18R48C1-M8
描述 Rambus DRAM Module, 64MX18, 53ns, CMOS, PDMA184 Rambus DRAM Module, 32MX18, 53ns, CMOS, PDMA184 Rambus DRAM Module, 64MX18, 40ns, CMOS, RIMM-184 Rambus DRAM Module, 32MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184 Rambus DRAM Module, 64MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184 Rambus DRAM Module, 64MX18, 53ns, CMOS, RIMM-184 Rambus DRAM Module, 32MX18, 53ns, CMOS, RIMM-184 Rambus DRAM Module, 32MX18, 40ns, CMOS, RIMM-184
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40 RIMM-184 DIMM, DIMM184,40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 53 ns 53 ns 40 ns 45 ns 45 ns 53 ns 53 ns 40 ns
最大时钟频率 (fCLK) 600 MHz 600 MHz 800 MHz 800 MHz 800 MHz 600 MHz 600 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N184 R-PDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 1207959552 bit 603979776 bit 1207959552 bit 603979776 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
端子数量 184 184 84 84 84 84 84 84
字数 67108864 words 33554432 words 67108864 words 33554432 words 67108864 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 64000000 32000000 64000000 32000000 64000000 64000000 32000000 32000000
组织 64MX18 32MX18 64MX18 32MX18 64MX18 64MX18 32MX18 32MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
零件包装代码 - - DMA DMA DMA DMA DMA DMA
针数 - - 84 84 84 84 84 84
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 - - BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
功能数量 - - 1 1 1 1 1 1
端口数量 - - 1 1 1 1 1 1
工作模式 - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最大供电电压 (Vsup) - - 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) - - 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) - - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
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