电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND99W3M1CZBC5E

产品描述Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA137
产品类别存储    存储   
文件大小725KB,共33页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

NAND99W3M1CZBC5E概述

Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA137

NAND99W3M1CZBC5E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明FBGA, BGA137,10X15,32
Reach Compliance Codecompliant
JESD-30 代码R-PBGA-B137
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SDRAM
端子数量137
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA137,10X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

文档预览

下载PDF文档
NANDxxxxMx
256/512-Mbit or 1-Gbit (x8/x16, 1.8/2.6 V, 528-byte page) NAND
flash and 256/512-Mbit (x16/x32, 1.8 V) LPSDRAM, MCP or PoP
Features
n
FBGA
Packages
– MCP (multichip package)
– PoP (package on package)
Device composition
– 1 die of 256 or 512 Mbits or 1 Gbit (x8/x16)
SLC small page NAND flash memory
– 1 die of 256 or 512 Mbits (x16 or x32)
SDR/DDR LPSDRAM
Supply voltages
– V
DDF
= 1.7 V to 1.95 V or 2.5 V to 3.6 V
– V
DDD
= V
DDQD
= 1.7 V to 1.95 V
Electronic signature
ECOPACK
®
packages
Temperature range: –30 to 85 °C
n
n
TFBGA107 10.5 × 13 × 1.2 mm (ZBB)
TFBGA149 10 × 13.5 × 1.2 mm (ZBA)
TFBGA137 10.5 × 13 × 1.2 mm (ZBC)
LFBGA137 10.5 × 13 × 1.4 mm (ZBC)
FBGA
n
TFBGA152 14 x 14 x 1.1 mm (ZPA)
Data integrity
– 100 000 program/erase cycles
– 10 years data retention
n
n
n
Flash memory
n
Single or double data rate LPSDRAM
n
n
n
n
n
n
NAND interface
– x8/x16 bus width
– Multiplexed address/data
Page size
– x8 device: (512 + 16 spare) bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) words
Block size
– x8 device: (16K + 512 spare) bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) words
Page read/program
– Random access: 12 µs (3 V), 15 µs (1.8 V)
– Sequential access: 30 ns (3 V), 50 ns
(1.8 V)
– Page program time: 200 µs (typ)
Copy back program mode
– Fast page copy without external buffering
Fast block erase
– Block erase time: 2 ms (typ)
– Status register
Interface: ×16 or ×32 bus width
Deep power-down mode
1.8 V LVCMOS interface
Quad internal banks controlled by BA0, BA1
Automatic and controlled precharge
Auto refresh and self refresh
– 8 192 refresh cycles/64 ms
– Programmable partial array self refresh
– Auto temperature compensated self refresh
Wrap sequence: sequential/interleave
Burst termination by Burst Stop command and
Precharge command
Device summary
NAND99W3M0 NAND98R4M2
NAND99W3M1 NAND99R3M1
NANDA9W3M1
NAND99R4M2
NAND98W3M1
NAND98R3M2
n
n
n
n
n
Table 1.
NANDxxxxMx
Rev 13
n
n
NAND88R3M0
NAND98R3M0
NAND98W3M0
NAND99R3M0
NAND99R3M2
NAND98R3M1
October 2008
1/32
www.numonyx.com
1
【连载】【星光闪电STM32F407开发板】第八章 外部中断实验
第八章 外部中断实验 8.1 实验目的 本实验旨在学习STM32的外部输入中断的使用方法,上一章中的4个按键输入,其实都可以配 ......
hejecu stm32/stm8
分享给大家的好东西
祝大家学习愉快!...
zhuizhu12345 DSP 与 ARM 处理器
关于arm与coprocessor寄存器数据传送的指令
今天在阅读bootloader中碰到mcr、mrc指令,没有接触过,查了下文档才明白。 mcr和mrc指令,都是实现arm寄存器与协处理器(coprocessor)寄存器之间数据传输功能的,只是方向不同而已。 mcr功 ......
呱呱 ARM技术
采用混合信号方法的电池充电器的设计
随着电池供电的电子设备的应用范围越来越广,功能越来越强大,对具有良好适用性的电池充电器设计的需求也应运而生。如果只采用标准元件,电池充电器设计可以变得更灵活、更具有成本效益。但采 ......
jimmyjf 电源技术
求帮忙看下为什么这个程序一开始流水灯从左到右循环后,别的按键都不起作用了
#include #include #define GPI0_LED P0 #define GPI0_KEY P1 void Delay10ms(unsigned int c); unsigned char Key_Scan(); void LED1(); void LED2(); void LED3(); void LED4(); vo ......
xinxinxin2015 51单片机
【平头哥RVB2601创意应用开发】红外设备控制
项目中打算用到红外控制设备,所以本篇介绍,如何进行红外设备协议的编写发送。一下根据标准的NEC红外协议来的。 先看下协议要求: 604630 首先协议是需要有一个载波的,38Khz。我们 ......
流行科技 玄铁RISC-V活动专区

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1384  1704  315  2375  218  28  35  7  48  5 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved