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NAND01GW3B2AV6F

产品描述128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
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文件大小943KB,共58页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND01GW3B2AV6F概述

128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48

NAND01GW3B2AV6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明VSSOP, TSSOP48,.71,20
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度15.4 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSSOP
封装等效代码TSSOP48,.71,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度0.65 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
宽度12 mm

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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B,
NAND04G-B, NAND08G-B
512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 8 Gbit memory array
– Up to 64Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (128K + 4K spare) Bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 25µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 300µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
CACHE PROGRAM AND CACHE READ
MODES
– Internal Cache Register to improve the
program and read throughputs
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’
– for simple interface with microcontroller
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm
DATA PROTECTION
– Hardware and Software Block Locking
– Hardware Program/Erase locked during
Power transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
RoHS COMPLIANCE
– Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
1/58
August 2005
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
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