IDT7008L55JGB,IDT7008L55JGB pdf中文资料,IDT7008L55JGB引脚图,IDT7008L55JGB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7008L55JGB: 产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84; 产品类别存储存储; 文件大小155KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7008L55JGB概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCN, LDCC84,1.2SQ
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-N84
JESD-609代码	e3
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	84
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCN
封装等效代码	LDCC84,1.2SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30

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