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6116SA25YI8: 产品描述Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24; 产品类别存储存储; 文件大小235KB，共11页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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6116SA25YI8概述

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	SOJ, SOJ24,.34
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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