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IDT6116LA20YGI8

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24
产品类别存储    存储   
文件大小111KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT6116LA20YGI8概述

Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24

IDT6116LA20YGI8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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