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MT47H128M4FT-5

产品描述DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, FBGA-92
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文件大小4MB,共94页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT47H128M4FT-5概述

DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, FBGA-92

MT47H128M4FT-5规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数92
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B92
JESD-609代码e1
长度19 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量92
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度11 mm

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PRELIMINARY
512Mb: x4, x8, x16
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
Features
V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DD
Q = +1.8V ±0.1V
JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
Four-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
configuration
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
Four internal banks for concurrent operation
Programmable CAS Latency (CL): 3 and 4
Posted CAS additive latency (AL): 0, 1, 2, 3, and 4
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Programmable burst lengths: 4 or 8
Supports READ burst interrupt by another READ
Supports WRITE burst interrupt by another WRITE
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8,192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Supports the JEDEC DDR2 functionality
requirements
Designation
MT47H128M4 – 32 MEG X 4 X 4 BANKS
MT47H64M8 – 16 MEG X 8 X 4 BANKS
MT47H32M16 – 8 MEG X 16 X 4 BANKS
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web
site:
http://www.micron.com/datasheets
ARCHITECTURE 128 MEG X 4
Configuration
Refresh Count
32 Meg x 4 x 4
banks
8K
16K (A0-A13)
4 (BA0, BA1)
2K (A0-A9, A11)
64 MEG X 8 32 MEG X 16
16 Meg x 8 x 4 8 Meg x 16 x 4
banks
banks
8K
16K (A0-A13)
4 (BA0, BA1)
1K (A0-A9)
8K
8K (A0-A12)
4 (BA0, BA1)
1K (A0-A9)
Options
• Configuration
128 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 4 banks)
64 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 4 banks)
32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)
• FBGA Package
92-ball (11mm x 19mm) FBGA
• Timing – Cycle Time
5.0ns @ CL = 4 (DDR2-400)
5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
128M4
64M8
32M16
FT
-5
-5E
-37E
Row Addressing
Bank
Addressing
Column
Addressing
Table 1:
SPEED
GRADE
-5
-5E
-37E
Key Timing Parameters
DATA RATE
(MHz)
CL = 3
400
400
CL = 4
400
400
533
t
RCD
(ns)
20
15
15
RP
(ns)
20
15
15
t
RC
(ns)
65
60
60
t
09005aef80b88542
512MbDDR2_1.fm - Rev. A 11/03 EN
1
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
PRODUCTS
AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY
MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.

MT47H128M4FT-5相似产品对比

MT47H128M4FT-5 MT47H32M16FT-5E MT47H32M16FT-5
描述 DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, FBGA-92 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, FBGA-92 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, FBGA-92
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, 11 X 19 MM, FBGA-92 11 X 19 MM, FBGA-92
针数 92 92 92
Reach Compliance Code compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.6 ns 0.6 ns 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92
JESD-609代码 e1 e1 e1
长度 19 mm 19 mm 19 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 92 92 92
字数 134217728 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 128000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
组织 128MX4 32MX16 32MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 11 mm 11 mm 11 mm

 
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