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GM71CS18163CLJ-6

产品描述EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42,
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文件大小2MB,共28页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71CS18163CLJ-6概述

EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42,

GM71CS18163CLJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J42
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量42
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ42,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新YES
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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