MXLSMLG11AE3/TR,MXLSMLG11AE3/TR pdf中文资料,MXLSMLG11AE3/TR引脚图,MXLSMLG11AE3/TR电路-Datasheet-电子工程世界

MXLSMLG11AE3/TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小175KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MXLSMLG11AE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLG, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	13.5 V
最小击穿电压	12.2 V
击穿电压标称值	12.85 V
最大钳位电压	18.2 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-215AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.61 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	11 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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