Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDFP24,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] |
Reach Compliance Code | unknown |
访问模式 | FAST PAGE |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 1MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DFP |
封装等效代码 | FL24/28,.38 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
自我刷新 | NO |
最大待机电流 | 0.002 A |
最大压摆率 | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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