HYM7V64100BLTQG-12,HYM7V64100BLTQG-12 pdf中文资料,HYM7V64100BLTQG-12引脚图,HYM7V64100BLTQG-12电路-Datasheet-电子工程世界

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HYM7V64100BLTQG-12: 产品描述Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小462KB，共13页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM7V64100BLTQG-12概述

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, SODIMM-144

HYM7V64100BLTQG-12规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM,
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	AUTO REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

HYM7V64100BLTQG-12相似产品对比

	HYM7V64100BLTQG-12	HYM7V64100BTQG-15	HYM7V64100BLTQG-15	HYM7V64100BLTQG-10	HYM7V64100BTQG-12
描述	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	8.5 ns	9 ns	9 ns	8 ns	8.5 ns
其他特性	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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