Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM64V2005GU-50

文档预览

HYM64V2005GU-50: 产品描述EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小80KB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYM64V2005GU-50概述

EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168

HYM64V2005GU-50规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

3.3V 2M

64-Bit EDO-DRAM Module

3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module

168pin unbuffered DIMM Module

with serial presence detect

HYM64V2005GU-50/-60

HYM72V2005GU-50/-60

•

168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module

for PC main memory applications

1 bank 2M x 64, 2M x 72 organisation

Optimized for byte-write non-parity or ECC applications

Extended Data Out (EDO)

Performance:

-50

tRAC

tCAC

tAA

tRC

tHPC

RAS Access Time

CAS Access Time

Access Time from Address

Cycle Time

EDO Mode Cycle Time

50 ns

13 ns

25 ns

84 ns

20 ns

-60

60 ns

15 ns

30 ns

104 ns

25 ns

•

Single +3.3 V

0.3 V Power Supply

CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh

Decoupling capacitors mounted on substrate

All inputs, outputs and clocks are fully LV-TTL compatible

Serial presence detects (optional)

Utilizes 2M

8 -DRAMs in SOJ packages

2048 refresh cycles / 32 ms with 11 / 10 addressing (Row / Column)

Gold contact pad

Card Size: 133,35mm x 25,40 mm x 5,30 mm

This DRAM product module family is intended to be fully pin and architecture compatible

with the 168pin unbuffered SDRAM DIMM module family

Semiconductor Group

2.97

HYM64V2005GU-50相似产品对比

	HYM64V2005GU-50	HYM64V2005GU-60	HYM72V2005GU-60	HYM72V2005GU-50
描述	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 2MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	150994944 bit	150994944 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	72	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX64	2MX64	2MX72	2MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.009 A	0.009 A
最大压摆率	0.96 mA	0.88 mA	0.99 mA	1.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

ISOLATED Feedback power supply circuit

打仗 ----- 为了私利: 原标题：乔良：美国四次发动对外战争为夺美元霸权 243188 视频地址： http://v.qq.com/iframe/player.html?vid=r0304m787l9&300&NaN&auto=0 ...; dontium 聊聊、笑笑、闹闹

关于c99模式结构体变量带成员名的初始化: 本帖最后由曾经in 于 2014-8-12 21:27 编辑带成员名的结构体初始化，以后修增加构体也不会影响初始化效果例如声明了这样的结构体 165279 并声明变量、初始化 165284 这样 ......; 曾经in stm32/stm8

请教DCDC输出电流与纹波的问题: 286272 用的这个电路，在使用中发现以下问题：空载或者负载电流很小（30几ma）时，输出纹波会较大，5mv左右（示波器可以看到个频率很低的尖峰），但是如果输出电流较大（测试时直接接了个22R ......; zhongrt 电源技术

EEWORLD大学堂----智能电网数据集中器简介: 智能电网数据集中器简介：https://training.eeworld.com.cn/course/442...; chenyy 工业自动化与控制

MSP430F149通过SPI给铁电存储器提供的时钟怎么没起作用？: MSP430F149通过SPI给铁电存储器提供的时钟怎么没起作用？都好几天了，就是找不出原因，希望高手帮忙啊，铁电存储器是FM25CL64B，SPI初始化如下：void InitSPI1(){ //P4OUT|=BIT6; //CSX_1; UCTL ......; glphighlj 微控制器 MCU

活动预热——沁恒新版RISC-V架构32位通用MCU CH32V103再次登场: 感谢论坛网友对我们沁恒测评活动的大力支持，通过上一期测评活动发现咱们工程师大大们都是卧虎藏龙！深感咱板子少了，奖励薄了上期活动传送门：点击这次我们对评估板做了升级！将给测评网 ......; 我芯永恒测评中心专版

倪荣生：RFID发展的新热点--移动超高频技术

　　倪荣生：我今天讲的是RFID发展的新热点--移动的超高频技术。作为移动的RFID技术，RFID是短程的通讯，就是使用方和给你提供服务的那一方之间的通讯。移动运营实际上有三个经营手段：一个就是你自己拿着卡去公共汽车上刷一下，实际上这也是一种变向移动的方式。这个时候你拿着卡是被动的方式，读写器是主动的方式。第二个是我们使用移动读写器，读写器是主动的，标签是被动的。比如说你到一个地方去参观，那个地...[详细]
RFID技术的发展与标准化情况

　　【提要】无线射频识别(RFID)技术是一种识别技术，与之对应的识别技术还有一维条码、二维条码、光学识别技术等。 RFID技术并不是全新的技术，其应用最早可以追溯到第二次世界大战时期英国空军基地的军事设施上。近年来随着微电子、计算机和网络技术的发展，RFID技术的应用范围和深度都得到了迅速地发展。美国在伊拉克战争中对RFID技术的成功应用，以及全球有影响的大企业计划未来几年里在零售商店...[详细]
手机无线芯片出货量放缓但前景可期

　　市场研究集团Forward Concepts通过对WSTS的最新半导体出货量统计数据进行分析，认为尽管出现了手机芯片的出货量放缓现象，但对统计的数据表示质疑。　　手机专用DSP和RISC芯片的五月份出货量比四月份增加了8%，从去年五月份累计增长率为47%。　　Forward Concepts的总裁Will Strauss同时也指出，WSTS的报告称用于无线设备的DSP五月份出货量比四...[详细]
减小ADC量化噪声的技术

　　数模转换器(ADC)提供了许多系统中模拟信号到数字信号的重要转换。它们完成一个模拟输入信号到二元有限长度输出命令的振幅量化，范围通常在6到18b之间，是一个固有的非线性过程。该非线性特性表现为ADC二元输出中的宽带噪声，称作量化噪声，它限制了一个ADC的动态范围。本文描述了两种时下最流行的方法来改善实际ADC应用中的量化噪声性能：过采样和高频抖动。　　为理解量化噪声缩减法，首先让我们回顾一...[详细]
设计指南Q&A系列：数模转换器

　　数模转换器的作用　　真实世界的模拟信号，例如温度、压力、声音或者图像等，被不断转换成更容易储存、处理和发射的数字形式。但是在很多系统中，数字信息也必须重新转换成模拟信号来实现一些真实世界的功能。数模转换器(DAC)就可以做到这一点，而且它们的输出还可以用来驱动各种设备，例如扩音器、发动机、射频发射器和温度控制器等。　　DAC一般被放置在数字系统中。在数字系统中，一些真实世界的信号通过...[详细]
改变血压监测仪的外观

　　“tensymetry”这个词在《韦伯斯特词典》中没有解释，但在医学界却广为人知。由Tensys Medical Systems公司开发的tensymetry是一种使用生物机械、电气、软件工程的专有组合技术。利用这三种强大的技术，你可在手术室内对病人的心跳血压进行精确、连续、实时和非侵入性测量。　　该技术结出的果实就是该公司的T-line Tensymeter产品。该产品线的最新进展是去年...[详细]
仿真人型机器人正在快速发展之中

　　最近我在芝加哥参观了Robots和Vision展览。尽管展厅的大部分都是优良的工业机器人应用，但在仿真仿真人型机器人领域取得的进步确实照亮了可做灵巧动作的机器人的未来。　　美国国家航空和宇宙航行局(NASA)的Michael Lutomski在开展第一天的主题演讲中对航天机器人Robonaut进行了一番颇有诱惑力的介绍。该航天机器人是NASA Johnson航天中心机器人系统科技部与美国国...[详细]
采用MCU的简化脉搏血氧仪集成设计

　　脉搏血氧仪是一种用于监视病人血氧饱和度的非浸入式仪器，它正受益于从昂贵的分立元件解决方案转向更高集成度的设计。但是，集成意味着需要就采用哪种处理架构做出艰难抉择。　　脉搏血氧仪依赖于脉搏强度或脉动流来进行测量，因此被监视的区域内必须具有良好的血流，而任何阻滞都可能造成测量误差。脉搏血氧仪还能连带计算出脉搏频率，因此大多数脉搏血氧仪都具有这项功能。典型脉搏血氧仪的测量范围介于70%－100...[详细]
高性能、低饱和线性稳压器的开发

　　在整机设备不断实现小型化和省电化的今天，功耗小的低漏失线性稳压器（LDO)正成为开关电源用线性稳压器市场的主流。为了实现高性能和高速度，设备内部采用的微型计算机或数字信号处理器(DSP)工艺年年都在取得突飞猛进的进步和发展，与此同时，这些微型计算机或数字信号处理器必不可少的电源电压也越来越低。另外，不同制造工艺对应的电压各自存在差异，因此要求各种各样的供电电压。为解决这一问题，各生产厂商开始在...[详细]
世界首块高血压病基因诊断芯片问世

　　日前，由中南大学周宏灏院士领衔、历经20余年研制的“个体化药物治疗基因诊断芯片和试剂盒系列产品”，通过了市科技局组织的验收。据专家介绍，该芯片是世界上首块可指导高血压病个体化药物治疗的基因芯片。　　项目组专家刘利辉告诉记者，个体化药物治疗基因诊断芯片在攻克高血压诊治难关后，开始向恶性肿瘤、糖尿病等对诊断和用药要求精细的疾患发起总攻。病人就医时，携带存储有药物代谢及药物疗效相关的个体基因“...[详细]
美国晶像推出全新InstaPort加快HDMI切换

2008 年 7 月 15 日美国晶像宣布推出全新的 InstaPort™ 技术，旨在提高 HDMI 数字电视 (DTV) 的智能性，进而缩短切换滞后时间。与此同时，该公司还推出了 Silicon Image SiI9285 、 SiI9287 、 SiI9251 与 SiI9261 等一系列配套使用的端口处理器，以及全...[详细]
英特尔面向嵌入式的双核处理器和高速芯片组

2008 年 7 月 15 日，英特尔公司推出面向嵌入式用户的英特尔 ® 酷睿™ 2 双核处理器 T9400 和移动式英特尔 ® GM45 高速芯片组，并提供长达 7 年的超长生命周期支持。本次推出的处理器和芯片组是全新英特尔 ® 迅驰 ® 2 平台的构成组件，可为移动应用程序带来更卓越的性能、更耐久的电池使用时间和广泛的无线网络互操作性。此外，今日推出的英特尔 ® 酷...[详细]
IBM三星逆势下注芯片投资均超10亿美元

　　在全球半导体产业因景气不佳而纷传并购、整合之际，两大IT巨头三星、IBM日前却双双宣布，将强化半导体产业投资。　　三星电子本周一宣布，已向韩国证券交易所提交一份申请文件，打算2008年投下10.5亿美元，用于升级内存芯片生产线、改进技术工艺，从而提高产能并降低成本。无独有偶。本周二IBM公司宣布，未来3年将投资10亿美元，用于扩充位于纽约州 East Fishkill 的半导体工厂，以消...[详细]
汽车电子庞大市场吸引众厂商逐鹿华南

　　根据市场调查公司StrategyAnalyt的预测，2008年全球汽车电子市场的规模，将会从2004年的1200多亿美元，增加到1600多亿美元。而中国汽车工业协会也预测，今年中国汽车电子的市场规模，有可能达到3000亿元。中国工程院院士、武汉大学校长刘经南教授分析，汽车电子行业的快速发展已引起全球关注，如汽车车载娱乐、导航信息系统等，车身电子产品产值将从2003年的10.32亿元增长到20...[详细]
TD-SCDMA射频测试解决方案

　　为确保中国TD-SCDMA网络规模商用的成功，运营商和设备供应商需要对入网设备进行大量的测试工作，其中射频测试尤为重要。安捷伦公司提供了符合3GPP 规范要求的TD-SCDMA 射频测试全面解决方案，并已广泛应用于各种基站、终端、直放站等设备测试中。下面将分别介绍应用于接收机测试、发射机测试（包括直放站测试）、射频一致性测试以及终端校准等方面的解决方案。 TD-SCDMA接收机性能...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多