OP-AMP, 1500uV OFFSET-MAX, 40MHz BAND WIDTH, CDIP8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.08 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.08 µA |
| 标称共模抑制比 | 95 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 750 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 15 V/us |
| 标称压摆率 | 37 V/us |
| 最大压摆率 | 11 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 40000 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm |
| HA7-5221/883 | HA4-5221/883 | |
|---|---|---|
| 描述 | OP-AMP, 1500uV OFFSET-MAX, 40MHz BAND WIDTH, CDIP8 | OP-AMP, 1500uV OFFSET-MAX, 40MHz BAND WIDTH, CQCC20 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 8 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.08 µA | 0.08 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.08 µA | 0.08 µA |
| 标称共模抑制比 | 95 dB | 95 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 750 µV | 750 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-失调 | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.54 mm |
| 最小摆率 | 15 V/us | 15 V/us |
| 标称压摆率 | 37 V/us | 37 V/us |
| 最大压摆率 | 11 mA | 11 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 40000 kHz | 40000 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm |
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