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CAT25256YE-GT3

产品描述32K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8
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文件大小377KB,共22页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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CAT25256YE-GT3概述

32K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8

32K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDIP8

CAT25256YE-GT3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSSOP
包装说明4.40 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-153, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.4 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000003 A
最大压摆率0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

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CAT25256
EEPROM Serial 256-Kb SPI
Description
The CAT25256 is a EEPROM Serial 256−Kb SPI device internally
organized as 32Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and
supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is
enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus
signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO)
lines. The HOLD input may be used to pause any serial
communication with the CAT25256 device. The device features
software and hardware write protection, including partial as well as
full array protection.
On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable
for high reliability applications.*
Features
www.onsemi.com
SOIC−8
V SUFFIX
CASE 751BD
UDFN−8
HU4 SUFFIX
CASE 517AZ
20 MHz (5 V) SPI Compatible
1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range
SPI Modes (0,0) & (1,1)
64−byte Page Write Buffer
Additional Identification Page with Permanent Write Protection
(New Product)
Self−timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
Protect 1/4, 1/2 or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
1,000,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
Industrial and Extended Temperature Range
8−lead SOIC, TSSOP and 8−pad UDFN Packages
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
V
CC
SOIC−8 WIDE
X SUFFIX
CASE 751BE
TSSOP−8
Y SUFFIX
CASE 948AL
PIN CONFIGURATIONS
CS
SO
WP
V
SS
1
V
CC
HOLD
SCK
SI
(Top View)
SOIC (V, X), TSSOP (Y), UDFN (HU4)
PIN FUNCTION
Pin Name
CS
SO
WP
V
SS
Function
Chip Select
Serial Data Output
Write Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock
Hold Transmission Input
Power Supply
SI
CS
WP
HOLD
SCK
V
SS
CAT25256
SO
SI
SCK
HOLD
V
CC
†The exposed pad for the UDFN package can be left
floating or connected to Ground.
Figure 1. Functional Symbol
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 13 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
June, 2018
Rev. 11
1
Publication Order Number:
CAT25256/D
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