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CAT25080VP2E-GT3

产品描述1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小303KB,共18页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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CAT25080VP2E-GT3概述

1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

1K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

CAT25080VP2E-GT3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SON
包装说明HVSON, SOLCC8,.11,20
针数8
制造商包装代码CASE 511AK-01
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)5 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
内存密度8192 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
0.35x0.35 这个形状怎么画出来
...
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