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AM9111CDCTB: 产品描述Standard SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18; 产品类别存储存储; 文件大小511KB，共12页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM9111CDCTB概述

Standard SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18

AM9111CDCTB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	300 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	18
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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