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SA33CAE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小469KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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SA33CAE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

SA33CAE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压40.6 V
最小击穿电压36.7 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
最大重复峰值反向电压33 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SA5.0 – SA170CA
Available
5.0 to 170 Volts, 500 Watts
Transient Voltage Suppressors
DESCRIPTION
This Transient Voltage Suppressor is a high value commercial product that offers protection to
voltage sensitive components. The response time of their clamping action is virtually
instantaneous (less than 100 ps for unidirectional and less than 5 ns for bidirectional). They
have a peak pulse power rating of 500 watts at 10/1000µs as depicted in
figures 1 and 2.
They are also virtually identical to power ratings and electrical features of the P5KE5.0 through
P5KE170CA series that had also been earlier defined for this same package.
Important:
For the latest information, visit our website
http://www.microsemi.com.
FEATURES
Available in both unidirectional and bi-directional construction.
5.0 to 170 volts stand-off voltage availability.
500 watts Peak Pulse Power dissipation.
RoHS compliant versions available.
DO-41 Package
Also available in:
J-bend Package
(surface mount)
MSMBJ5.0A – MSMBJ170A
APPLICATIONS / BENEFITS
Economical series.
Flexible axial-lead mounting terminals.
Quick response.
Gull-wing
Package
(surface mount)
MSMBG5.0A – MSMBG170A
MAXIMUM RATINGS
@ 25 ºC unless otherwise stated
Parameters/Test Conditions
Junction and Storage Temperature
o (1)
Average Power Dissipation @ T
L
= 25 C
Peak Pulse Power Dissipation @ 1000
µs
tclamping (0 volts to BV Min)
Unidirectional
Bi-directional
Solder Temperature @ 10 s
Notes:
1. At 3/8 (10 mm) lead length from body.
Symbol
T
J
and T
STG
P
M(AV)
P
PP
Value
-55 to +150
2.5
500
<1x10
-9
<5x10
260
-12
Unit
o
C
W
W
S
MSC – Lawrence
6 Lake Street,
Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 or
(978) 620-2600
Fax: (978) 689-0803
MSC – Ireland
Gort Road Business Park,
Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044
Fax: +353 (0) 65 6822298
Website:
www.microsemi.com
T
SP
o
C
RF01093, Rev. A (3/26/13)
©2013 Microsemi Corporation
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