CMST2222ATR13概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

CMST2222ATR13规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
基于收集器的最大容量	8 pF
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz
最大关闭时间（toff）	285 ns
最大开启时间（吨）	35 ns
VCEsat-Max	1 V

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CMST2222ATR13相似产品对比

	CMST2222ATR13	CMST2222ATR13LEADFREE	CMST2222ABK	CMST2222ABKLEADFREE	CMST2222ATRLEADFREE	CMST2222ATR
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A
基于收集器的最大容量	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	40	40	40	40
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e3	e0	e3	e3	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz
最大关闭时间（toff）	285 ns	285 ns	285 ns	285 ns	285 ns	285 ns
最大开启时间（吨）	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
VCEsat-Max	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
最大功率耗散 (Abs)	-	-	0.275 W	0.275 W	0.275 W	0.275 W

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