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MT46V64M4P-5BAT:G

产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
产品类别存储   
文件大小3MB,共93页
制造商Micron(美光)
官网地址http://www.micron.com/
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MT46V64M4P-5BAT:G概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66

MT46V64M4P-5BAT:G规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量66
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压2.7 V
最小供电/工作电压2.5 V
额定供电电压2.6 V
最小存取时间0.7000 ns
加工封装描述0.40 INCH, 铅 FREE,塑料, TSOP-66
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织16M × 16
存储密度2.68E8 deg
操作模式同步
位数1.68E7 words
位数16M
存取方式四 BANK PAGE BURST
内存IC类型双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
端口数1
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