MT46V32M8P-5B:F,MT46V32M8P-5B:F pdf中文资料,MT46V32M8P-5B:F引脚图,MT46V32M8P-5B:F电路-Datasheet-电子工程世界

MT46V32M8P-5B:F: 产品描述32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66; 产品类别存储; 文件大小3MB，共93页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/

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MT46V32M8P-5B:F概述

32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

32M × 8 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	66
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	2.7 V
最小供电/工作电压	2.5 V
额定供电电压	2.6 V
加工封装描述	0.40 INCH, LEAD FREE,PLASTIC, TSOP-66
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.6500 mm
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	8
组织	32M X 8
存储密度	2.68E8 deg
操作模式	SYNCHRONOUS
位数	3.36E7 words
位数	32M
存取方式	FOUR BANK PAGE BURST
内存IC类型	DDR DRAM
端口数	1
最小存取时间	0.7000 ns

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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