MT46V32M8FG-75ZIT:G,MT46V32M8FG-75ZIT:G pdf中文资料,MT46V32M8FG-75ZIT:G引脚图,MT46V32M8FG-75ZIT:G电路-Datasheet-电子工程世界

MT46V32M8FG-75ZIT:G: 产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66; 产品类别存储; 文件大小3MB，共93页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/

下载文档详细参数全文预览

MT46V32M8FG-75ZIT:G概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	66
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	2.7 V
最小供电/工作电压	2.5 V
额定供电电压	2.6 V
最小存取时间	0.7000 ns
加工封装描述	0.40 INCH, 铅 FREE,塑料, TSOP-66
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	DISCONTINUED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.6500 mm
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	16
组织	16M × 16
存储密度	2.68E8 deg
操作模式	同步
位数	1.68E7 words
位数	16M
存取方式	四 BANK PAGE BURST
内存IC类型	双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器
端口数	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190