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BZG05C9V1

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共5页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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BZG05C9V1概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC,

BZG05C9V1规格参数

参数名称属性值
厂商名称TEMIC
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.25 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式C BEND
端子位置DUAL
最大电压容差6.1%
工作测试电流25 mA

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BZG05C...
Silicon Z–Diodes
Features
D
D
D
D
D
Glass passivated junction
High reliability
Voltage range 3.3V to 15V
Fits onto 5 mm SMD footpads
Wave and reflow solderable
Applications
Voltage stabilization
94 9535
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
p
Non repetitive peak surge
power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
<30K/W, T
amb
=60
°
C
R
thJA
<100K/W, T
amb
=25
°
C
t
p
=100
m
s sq.pulse, T
j
=25
°
C
prior to surge
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZSM
T
j
T
stg
Value
3
1.25
60
150
–65...+150
Unit
W
W
W
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction lead
Junction ambient
Test Conditions
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1a
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1b
mounted on Al–oxid–ceramic (Al
2
O
3
), Fig. 1b
Symbol
R
thJL
R
thJA
R
thJA
R
thJA
Value
30
150
125
100
Unit
K/W
K/W
K/W
K/W
Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=0.2A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A2, 24-Jun-96
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