电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MT46V16M16TG-75Z:K

产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
产品类别存储   
文件大小3MB,共93页
制造商Micron(美光)
官网地址http://www.micron.com/
下载文档 详细参数 全文预览

MT46V16M16TG-75Z:K概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66

MT46V16M16TG-75Z:K规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量66
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压2.7 V
最小供电/工作电压2.5 V
额定供电电压2.6 V
最小存取时间0.7000 ns
加工封装描述0.40 INCH, 铅 FREE,塑料, TSOP-66
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织16M × 16
存储密度2.68E8 deg
操作模式同步
位数1.68E7 words
位数16M
存取方式四 BANK PAGE BURST
内存IC类型双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
端口数1

文档预览

下载PDF文档
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Features
Double Data Rate (DDR) SDRAM
MT46V64M4 – 16 Meg x 4 x 4 banks
MT46V32M8 – 8 Meg x 8 x 4 banks
MT46V16M16 – 4 Meg x 16 x 4 banks
Features
• V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = +2.5V ±0.2V
• V
DD
= +2.6V ±0.1V, V
DD
Q = +2.6V ±0.1V (DDR400)
• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/
received with data, that is, source-synchronous data
capture (x16 has two – one per byte)
• Internal, pipelined double-data-rate (DDR)
architecture; two data accesses per clock cycle
• Differential clock inputs (CK and CK#)
• Commands entered on each positive CK edge
• DQS edge-aligned with data for READs; center-
aligned with data for WRITEs
• DLL to align DQ and DQS transitions with CK
• Four internal banks for concurrent operation
• Data mask (DM) for masking write data
(x16 has two – one per byte)
• Programmable burst lengths (BL): 2, 4, or 8
• Auto refresh
64ms, 8192-cycle(Commercial & Industrial)
16ms, 8192-cycle (Automotive)
• Self refresh (not available on AT devices)
• Longer-lead TSOP for improved reliability (OCPL)
• 2.5V I/O (SSTL_2-compatible)
• Concurrent auto precharge option supported
t
RAS lockout supported (
t
RAP =
t
RCD)
Options
Marking
• Configuration
64 Meg x 4 (16 Meg x 4 x 4 banks)
64M4
32 Meg x 8 (8 Meg x 8 x 4 banks)
32M8
16 Meg x 16 (4 Meg x 16 x 4 banks)
16M16
• Plastic package – OCPL
66-pin TSOP
TG
66-pin TSOP (Pb-free)
P
• Plastic package
FG
1
60-ball FBGA (8mm x 14mm)
BG
1
60-ball FBGA (8mm x 14mm) (Pb-free)
CV
2
60-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
CY
2
60-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
(Pb-free)
• Timing – cycle time
5ns @ CL = 3 (DDR400B)
-5B
6ns @ CL = 2.5 (DDR333) FBGA only
-6
6ns @ CL = 2.5 (DDR333) TSOP only
-6T
-75E
1
7.5ns @ CL = 2 (DDR266)
-75Z
1
7.5ns @ CL = 2 (DDR266A)
-75
1
7.5ns @ CL = 2.5 (DDR266B)
• Self refresh
Standard
None
Low-power self refresh
L
• Temperature rating
Commercial (0°C to +70°C)
None
Industrial (–40°C to +85°C)
IT
Automotive (–40°C to +105°C)
AT
4
• Revision
:G
3
x4, x8
:F
3
x16
x4, x8, x16
:K
Notes: 1. Only available on Revision F and G.
2. Only available on Revision K.
3. Not recommended for new designs.
4. Contact Micron for availability.
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
256Mb_DDR_x4x8x16_D1.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
一种用于APFC的改进型ZVT-BOOST电路
摘要:介绍一种改进型ZVT-BOOST电路,辅助管增加了无损吸收电路,进一步提高了软开关 电路的效率。文中分析了电路的工作原理,给出了仿真与实验结果以及主要参数的设计。有源功率因数校正(APF ......
zbz0529 电源技术
相当详细:手机的设计全过程
手机的设计过程包括各个工位的职责及注意要点。...
gina 无线连接
msp430f5529脉宽测量
用5529进行脉宽测量,中断貌似进了但是没法判断,求解读~ #include #include "Header_Config.h" #include "sys.h" unsigned char overflow = 0,Sum_High_Index = 0,Sum_Rising_Index = ......
shenlen 微控制器 MCU
s3c2410与s3c2440的部分细节区别整理
转自:http://hi.baidu.com/deep%5Fpro/blog/item/f54e88e70288c224b8382063.html 这两个soc都是arm920,cpuid都是0x41129200,很多寄存器设置都是一样的,但是你要想直接把2410的bootloader ......
john_wang 嵌入式系统
手机支付,下一个安防战场
手机支付作为RFID的一个基础应用,已渐渐从最初的炒作概念,逐步向全方位的应用过度。由于一些与手机支付相关的技术和产业在这一两年中获得了良好的发展,从而给手机支付提供了发展的基础条件。 ......
xyh_521 工业自动化与控制
请问各位从哪里看各种寄存器的使用方法?
看了G2553的数据手册和应用手册,感觉好多寄存器的定义,宏的定义以及如何使用的都没怎么讲清楚。如果看头文件倒是能看得很清楚,但是不知道是怎么个对应关系,导致学习的进度比较缓慢啊 ......
lxc115 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2188  517  2868  127  2928  33  2  23  14  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved