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MT46V16M16TG-75ELAT:K: 产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66; 产品类别存储; 文件大小3MB，共93页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/

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MT46V16M16TG-75ELAT:K概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	66
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	2.7 V
最小供电/工作电压	2.5 V
额定供电电压	2.6 V
最小存取时间	0.7000 ns
加工封装描述	0.40 INCH, 铅 FREE,塑料, TSOP-66
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	DISCONTINUED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.6500 mm
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	16
组织	16M × 16
存储密度	2.68E8 deg
操作模式	同步
位数	1.68E7 words
位数	16M
存取方式	四 BANK PAGE BURST
内存IC类型	双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器
端口数	1

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