16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.7 ns, PDSO66
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
最大工作温度 | 70 Cel |
最小工作温度 | 0.0 Cel |
最大供电/工作电压 | 2.7 V |
最小供电/工作电压 | 2.5 V |
额定供电电压 | 2.6 V |
最小存取时间 | 0.7000 ns |
加工封装描述 | 0.40 INCH, 铅 FREE,塑料, TSOP-66 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | DISCONTINUED |
工艺 | CMOS |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.6500 mm |
端子涂层 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | COMMERCIAL |
内存宽度 | 16 |
组织 | 16M × 16 |
存储密度 | 2.68E8 deg |
操作模式 | 同步 |
位数 | 1.68E7 words |
位数 | 16M |
存取方式 | 四 BANK PAGE BURST |
内存IC类型 | 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器 |
端口数 | 1 |
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