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HY51V4264BLJC-80

产品描述EDO DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
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文件大小230KB,共7页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V4264BLJC-80概述

EDO DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

HY51V4264BLJC-80规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ40,.44
针数40
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J40
JESD-609代码e0
长度26.04 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ40,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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