Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYB39S64160ET-7.5

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HYB39S64160ET-7.5: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小358KB，共55页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB39S64160ET-7.5概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54

HYB39S64160ET-7.5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0
长度	22.22 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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HYB 39S64400/800/160ET(L)

64-MBit Synchronous DRAM

Preliminary Datasheet

• High Performance:

• Automatic and Controlled Precharge

Command

-8

125

Units

MHz

• Data Mask for Read/Write Control (x4, x8)

• Data Mask for Byte Control (x16)

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• Suspend Mode and Power Down Mode

• 4096 Refresh Cycles / 64 ms

7.5

5.4

• Random Column Address every CLK

(1-N Rule)

• Single 3.3 V

0.3 V Power Supply

• Fully Synchronous to Positive Clock Edge

• 0 to 70

°C

operating temperature

• Four Banks controlled by BA0 & BA1

• Programmable CAS Latency: 2, 3

• Programmable Wrap Sequence: Sequential

or Interleave

• Programmable Burst Length: 1, 2, 4, 8

• Multiple Burst Read with Single Write

Operation

The HYB 39S64400/800/160BT are high-speed four bank Synchronous DRAM’s organized as

4 banks

4MBit

×4,

4 banks

2 MBit

×8

and 4 banks

1 Mbit

×16

respectively. These synchron-

ous devices achieve high speed data transfer rates by employing a chip architecture that prefects

multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock. The chip is fabricated using

the Infineon advanced 0.17

µm

64 MBit DRAM process technology.

The device is designed to comply with all JEDEC standards set for Synchronous DRAM products,

both electrically and mechanically. All of the control, address, data input and output circuits are

synchronized with the positive edge of an externally supplied clock.

Operating the four memory banks in an interleave fashion allows random access operation to occur

at higher rates than is possible with standard DRAMs. A sequential and gapless data rate is

possible depending on burst length, CAS latency and speed grade of the device.

Auto Refresh (CBR) and Self Refresh operation are supported. These devices operates with a

single 3.3 V

0.3 V power supply and are available in TSOPII packages.

• LVTTL Interface

• Plastic Packages:

P-TSOPII-54 400mil width (x4, x8, x16)

• -7 version for PC133 2-2-2 application

-7.5 version for PC133 3-3-3 application

-8 version for PC100 2-2-2 applications

-7

-7.5

133

7.5

5.4

CKMAX

CK3

AC3

CK2

AC2

143

5.4

INFINEON Technologies

10.00

HYB39S64160ET-7.5相似产品对比

	HYB39S64160ET-7.5	HYB39S64400ET-8	HYB39S64400ET-7.5	HYB39S64800ET-7.5	HYB39S64800ET-8	HYB39S64160ET-8
描述	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54	10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
针数	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	125 MHz	133 MHz	133 MHz	125 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	4	4	8	8	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54
字数	4194304 words	16777216 words	16777216 words	8388608 words	8388608 words	4194304 words
字数代码	4000000	16000000	16000000	8000000	8000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX16	16MX4	16MX4	8MX8	8MX8	4MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.14 mA	0.13 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.13 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

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