Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYS64V8000GCD-10

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HYS64V8000GCD-10: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小215KB，共19页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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HYS64V8000GCD-10概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144

HYS64V8000GCD-10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SIEMENS
零件包装代码	MODULE
包装说明	,
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	8 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

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3.3V SDRAM Modules

144 pin SO-DIMM SDRAM Modules

16MB, 32MB, 64MB & 128 MB density

HYS64Vx00(2)0G(C)D-10

•

144 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules

for PC notebook applications

•

One bank 2M x 64, 4M x 64, 8M x 64 and 16M x 64 non-parity module organisation

•

Two bank 16M x 64 organisation

•

Performance:

-10

PC66

Clock frequency (max.)

Clock access time

CAS latency = 2 & 3

Units

MHz

•

Single +3.3V(± 0.3V ) power supply

•

Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

•

Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

•

Decoupling capacitors mounted on substrate

•

All inputs, outputs are LVTTL compatible

•

Serial Presence Detect with E

PROM

•

4096 refresh cycles every 64 ms

•

Gold contact pad

•

HYS64V8000GCD and HYS64V160(2)0GCD in COB techniques with 1” height only

•

This SDRAM product familiy is intended to be fully pin and architecture compatible with the 144

pin SO-DIMM DRAM module family.

Semiconductor Group

7.98

HYS64V8000GCD-10相似产品对比

	HYS64V8000GCD-10	HYS64V2000GD-10
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS
零件包装代码	MODULE	MODULE
针数	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	8 ns	8 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	536870912 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	2	2
端子数量	144	144
字数	8388608 words	2097152 words
字数代码	8000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	8MX64	2MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL

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