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NE64535

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小244KB,共7页
制造商NEC(日电)
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NE64535概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

NE64535规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明MICROWAVE, S-CQMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.065 A
基于收集器的最大容量0.6 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码S-CQMW-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8500 MHz

NE64535相似产品对比

NE64535 2SC2585 NE64500 NE64587
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CASE 35, MICRO-X-4 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, DIE-8 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, X Band, Silicon, NPN,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A
基于收集器的最大容量 0.6 pF 0.6 pF 0.6 pF 0.6 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS
最高频带 L BAND L BAND L BAND X BAND
JESD-30 代码 S-CQMW-F4 S-CQMW-F4 S-XUUC-N8 R-CDMW-F2
元件数量 1 1 1 2
端子数量 4 4 8 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE UNCASED CHIP MICROWAVE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT NO LEAD FLAT
端子位置 QUAD QUAD UPPER DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8500 MHz 8500 MHz 8500 MHz 8500 MHz
厂商名称 NEC(日电) - NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 MICROWAVE, S-CQMW-F4 HERMETIC SEALED, CASE 35, MICRO-X-4 DIE-8 -
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