PHD12NQ15T/T3,PHD12NQ15T/T3 pdf中文资料,PHD12NQ15T/T3引脚图,PHD12NQ15T/T3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PHD12NQ15T/T3

PHD12NQ15T/T3: 产品描述TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小115KB，共12页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

PHD12NQ15T/T3概述

TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

PHD12NQ15T/T3规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	93 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V
最大漏极电流 (ID)	12.5 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PHD12NQ15T/T3相似产品对比

	PHD12NQ15T/T3	PHP12NQ15T	PHB12NQ15T	PHB12NQ15T/T3	PHD12NQ15T
描述	TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
雪崩能效等级（Eas）	93 mJ	-	93 mJ	93 mJ	93 mJ
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	-	150 V	150 V	150 V
最大漏极电流 (ID)	12.5 A	-	12.5 A	12.5 A	12.5 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	-	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	-	1	1	1
端子数量	2	-	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A	-	50 A	50 A	50 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON

推荐资源

在时间流程中继电器吸合的定时器电路

采用密勒积分器的定时器电路

llOV稳压电源电路

逆变电源的缓冲电路(抑制IGBT栅极-发射极直流过压)

晶闸管断相保护电路

电脑主板电路图 815 3_20

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多