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FESB16HTHE3_A/P

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 500V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小134KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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FESB16HTHE3_A/P概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 500V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

FESB16HTHE3_A/P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流16 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
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