Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD232M6468-K

文档预览

HYMD232M6468-K: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小318KB，共16页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYMD232M6468-K概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200

HYMD232M6468-K规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24
针数	200
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Unbuffered DDR SO-DIMM

HYMD232M646(L)8-K/H/L

DESCRIPTION

32Mx64 bits

Hynix HYMD232M646(L)8-K/H/L series is unbuffered 200-pin double data rate Synchronous DRAM Small Outline Dual

In-Line Memory Modules (SO-DIMMs) which are organized as 32Mx64 high-speed memory arrays. Hynix

HYMD232M646(L)8-K/H/L series consists of eight 32Mx8 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages on a 200pin glass-

epoxy substrate. Hynix HYMD232M646(L)8-K/H/L series provide a high performance 8-byte interface in 67.60mmX

31.75mm form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD232M646(L)8-K/H/L series is designed for high speed of up to 133MHz and offers fully synchronous oper-

ations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs are

latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising

and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth. All

input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and

burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD232M646(L)8-K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function is

implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to identify

DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

256MB (32M x 64) Unbuffered DDR SO-DIMM based

on 32Mx8 DDR SDRAM

JEDEC Standard 200-pin small outline dual in-line

memory module (SO-DIMM)

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100MHz/125MHz/133MHz

All addresses and control inputs except Data, Data

strobes and Data masks latched on the rising edges

of the clock

Data(DQ), Data strobes and Write masks latched on

both rising and falling edges of the clock

•

Data inputs on DQS centers when write (centered

DQ)

Data strobes synchronized with output data for read

and input data for write

Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

tRAS Lock-out function supported

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

ORDERING INFORMATION

Part No.

HYMD232M646(L)8-K

HYMD232M646(L)8-H

HYMD232M646(L)8-L

=2.5V

DDQ

=2.5V

Power Supply

Clock Frequency

133MHz (*DDR266A)

133MHz (*DDR266B)

100MHz (*DDR200)

Interface

Form Factor

200pin Unbuffered SO-DIMM

67.6mm x 31.75mm x 3.8mm

SSTL_2

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.5/May. 02

HYMD232M6468-K相似产品对比

	HYMD232M6468-K	HYMD232M646L8-K	HYMD232M6468-L	HYMD232M6468-H	HYMD232M646L8-L	HYMD232M646L8-H
描述	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
针数	200	200	200	200	200	200
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200	200	200
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

防抢劫报警器(RCM1A/RCM1B为收发模块)

基于物联网的学生宿舍公寓监控系统: 一、作品背景：近年来，高校宿舍安全事故频发，给同学们造成了不必要的人身伤害和财产损失，故宿舍安全问题是学生安全生活的基本保障。宿舍的安全问题主要在于学生是否使用了违规电器，那么 ......; 青春最好时 DigiKey得捷技术专区

读取DSP的IO口状态问题: 请问，TI的28335DSP. 给GPIO配置为数字IO，且为输入，当给其输入高低电平的时候，为什么在GPxDAT寄存器中看到的状态和输入的状态不同，有时候改变输入电平后，但GPxDAT中的电平还是不变本帖 ......; kikihi DSP 与 ARM 处理器

100分，请大家来给我启蒙，会唱歌的玩具娃娃: 大家好，有人问到如何实现会唱歌的玩具娃娃，就和市面上的玩具娃娃一样，按一下，会唱首歌，再按一下会笑，再按会说话什么的，因为本人从来不涉及硬件设计知识，所以没办法回答朋友的问题，现在 ......; mysky163 嵌入式系统

求助：我需要液体点滴的优秀作品: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:00 编辑最近都在找资料，都没有找到关于液体点滴的优秀作品，哪位大侠有，请发我一份！谢谢！ ...; xiaolai083 电子竞赛

测振仪的技术原理及测振仪的技术问题: 测振仪的技术原理及测振仪的技术问题测振仪的技术原理, 测振仪的技术问题: 现在的测振仪一般都采用压电式的，结构形式大致有二种：① 压缩式；② 剪切式，其原理是利用石英晶体和人工 ......; aluu2005 汽车电子

EEWORLD大学堂----CC1120评估套件快速启动指南: CC1120评估套件快速启动指南：https://training.eeworld.com.cn/course/410...; chenyy 嵌入式系统

碳纳米管导线扮推手芯片速度创高峰

　　芯片工艺技术进程在2011年前，即可能遭遇瓶颈。相对纳米科技已开始介入处理器、存储器…等芯片工艺，凡小于100纳米(nanometer)的零组件产品，都可以看见它们的身影。　　基本上，芯片中的铜导线有其物理极限，所以芯片商需要借碳纳米管在硅芯片上布线，然而布线空间和晶体管集中度有关。直到史丹佛大学与ToshibaRD推出1GHz碳纳米管互联CMOS电路后，纳米芯片工艺问题才获得缓解。 ...[详细]
基于NXP LPC2148的微型尿液分析仪

项目概述　　我们设计的微型尿液分析仪可以检测尿液的十种参数，包括白细胞、亚硝酸盐、尿胆原、蛋白质、PH值、潜血、比重、酮体、胆红素和葡萄糖。　　在用户把浸没了尿液的试纸条放入仪器后，通过LPC2148控制LED光源进行分时发光，然后反射光通过光纤照射到CCD上，经过信号的采集和模数转换，并在微处理器中经过归一化的算法，将结果输出至LCD进行显示，或者根据需要传输至PC。并可以利用以太网接...[详细]
我国首台遗传性耳聋基因芯片检测系统

　　“遗传性耳聋基因芯片检测系统”研发日前获得成功，从而为耳聋出生缺陷的“早发现、早预防、早治疗”，提供了有效的高科技手段。　　据了解，以往临床医生对于耳聋预防可采取的办法很少，而且效果不佳。这项由生物芯片北京国家工程研究中心等单位联合取得的成果，可快速准确检测出遗传性耳聋成因，并有针对性地指导治疗。　　中国聋儿康复研究中心副主任孙喜斌教授介绍，我国有听力障碍患者总数达2780万多人，...[详细]
台湾晶圆厂登陆将进一步开放政策最快9月出台

　　马英九7月10日表示，晶圆厂赴大陆投资会进一步开放。这是否意味包括晶圆制程朝90纳米及十二英寸晶圆厂近期将可望解禁？台当局“经济部投审会”表示，“经济部”正在研议中，还未决定开放范围，预计八月会紧锣密鼓邀集相关单位及业者协商，晶圆产业进一步开放的具体政策最快九月才会宣布。　　据台湾中广新闻网报道，马英九支持对合理且必要的高科技业，进一步开放登陆投资。这番话被解读目前开放八英寸晶圆及0.1...[详细]
GE和Centrak发布病床级实时定位系统

　　GE医疗技术公司与宾州Newton 的CenTrak公司合作，宣布开发成功新的RFID技术可以把房间或者场地进行分割，建立所谓RFID "虚拟墙"。　　新开发的技术是为了适合医院跟踪移动医疗器械的需要，医院希望有RFID标签医疗器械的定位准确度能够达到房间的每一个部分。这种亚房间级的识别能力对医院的某些区域十分重要，因为它可以大大提高RFID的房间级定位准确性。　　这种新技术称作 A...[详细]
智能超声波洁牙机的设计

　　超声波洁牙机在医疗领域已广泛应用。现国内外所用超声波洁牙机多采用模拟振荡电路。存在如下缺陷：第一，振荡频率容易漂移。在连续工作一段时间后，振荡频率漂移，造成洁牙机工作不正常。第二，由于压电陶瓷片谐振频带范围窄，谐振频率点采用手动搜索，不容易找准。本人设计的超声波沽牙机以单片机为核心，采用电流取样反馈自动扫描搜索谐振点，谐振频率和振荡强度数字锁定，谐振点漂移极小，从而在根本上解决了上述问题。该电...[详细]
计算机断层扫描(CT)

　　医疗成像领域正在发生日新月异的变化。计算机断层扫描可帮助患者进行成像检查。ST 提供从分立器件到32位数字处理器及存储器的广泛产品组合，可进一步加强计算机断层扫描应用。以下结构方块图可帮助您在众多推荐的适用产品中进行选择。 ...[详细]
数字信号处理芯片的发展和应用

　　数字信号处理作为信号和信息处理的一个分支学科，已渗透到科学研究、技术开发、工业生产、国防和国民经济的各个领域，取得了丰硕的成果。对信号在时域及变换域的特性进行分析、处理，能使我们对信号的特性和本质有更清楚的认识和理解，得到我们需要的信号形式，提高信息的利用程度，进而在更广和更深层次上获取信息。数字信号处理系统的优越性表现为：1.灵活性好：当处理方法和参数发生变化时，处理系统只需通过改变软件设计...[详细]
Intersil新的降压型稳压器ISL801×

2008 年 07 月 11 日， Intersil 公司宣布推出 ISL8012 、 ISL8013 和 ISL8014 三款单片同步降压型 DC/DC 稳压器。该系列器件可以为消费、计算机、工业及仪器等各种应用提供紧凑而有效的电源解决方案。 ISL8012/13/14 可执行高效率的 DC/DC 控制和转...[详细]
一种基于FPGA控制全彩大屏幕显示的设计(图)

　　随着数字技术的飞速发展，各种数字显示屏也随即涌现出来有LED、LCD、DLP等，各种数字大屏幕的控制系统多种多样，有用ARM+FPGA脱机控制系统，也有用PC+DVI接口解码芯片+FPGA芯片联机控制系统，在这里我们讲述一种不仅可以用于控制全彩LED大屏幕的显示，而且还可以作为发送端输出高清图像数据。采用的联机控制系统对全彩LED大屏幕进行控制。即PC+DVI接口解码芯片+FPGA芯片+输出...[详细]
美国医用超声市场2008和今后几年的走向

　　咨询公司KBC一份最新市场调查报告披露，美国2006年超声设备市场达到创纪录的13.3亿美元，在全球超声市场中，美国占据的份额达到30%左右，由此可见该市场对超声设备厂商的份量。该报告还预测，到2011年，美国这一市场可望增至17.6亿美元，年增长率5.8%。　　2008年，超声整机产品在美的销售收入较上年增长了5.3%，而产品升级服务的业务收入下降23%，使整个市场的增长率降低到2.6...[详细]
台积电称暂无计划内地建12英寸芯片厂

　　台积电发言人曾晋皓表示，虽然此前一项议案将放宽台湾芯片生产商在内地采用的生产技术限制，但台积电没有立即在内地设立12英寸芯片厂的计划。　　台湾当局可能从8月起允许当地芯片生产商在内地生产12英寸晶圆，这是台湾方面为了通过放宽大陆投资限制来提振台湾经济而采取的一项措施。　　联华电子发言人颜胜德则表示，公司将评估是否在放宽内地投资限制后赴内地设立12英寸芯片厂，将在评估市场状况后作出决定...[详细]
当之无愧的巨人英特尔“开启了一个时代”

　　1978年6月8号，Intel发布了其第一款16位的微处理器--8086，还有一句著名的广告语“开启了一个时代”。这可能有点夸大其词？但是现在看来还是相当准确的。当8086的光环退去之后，其支撑架构——后来我们所熟知的x86也成为了最成功的业界技术标准。　　“X86”是Intel和其他几家公司处理器所支持的一组机器指令集，它大致确定了芯片的使用规范。从8086到80186、80286...[详细]
基于多路移相时钟的瞬时测频模块设计

　　0 引言　　目前，脉冲雷达的脉内信号分析一直是研究的热点和难点，如何能更快速，准确的对脉内载波频率测量成为研究人员关注的目标，与此同时高精度频率源在无线电领域应用越来越广泛，对频率测量设备有了更高的要求，因此研究新的测频方法对开发低成本、小体积且使用和携带方便的频率测量设备有着十分重要的意义。本文根据雷达发射机频率快速变化的特点，采用目前新型的逻辑控制器件研究新型频率测量模块，结合...[详细]
铁电存储器及其在电表存储中的应用

　　 0 引言　　在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天，电能表中存储器的选择也是多种多样，存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM这三种。但这三种方案均存在着缺陷。其中SRAM加后备电池的方法增加了硬件设计的复杂性，同时由于加了电池又降低了系统的可靠性；而EEPROM的可擦写次数较少(约10万次)，...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多