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SKN8000P02

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8200A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共2页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKN8000P02概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8200A, 200V V(RRM), Silicon,

SKN8000P02规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
包装说明O-XEDB-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用LOW POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流80000 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流8200 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END

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V
RSM
V
RRM
V
200
400
600
I
FAV
(sin. 180; T
case
= 130 °C)
8 200 A
SKN 8000P 02
SKN 8000P 04
SKN 8000P 06
Rectifier Diode Pellets
1)
SKN 8000 P
Preliminary Data
Symbol Conditions
I
FAV
I
FSM
i
2
t
sin. 180; T
case
= 130 °C; DSC
2)
T
vj
= 25 °C; 10 ms
T
vj
= 180 °C; 10 ms
T
vj
= 25 °C; 8,3 ... 10 ms
T
vj
= 180 °C; 8,3 ... 10 ms
T
vj
= 25 °C; V
R
= V
RRM
T
vj
= 180 °C; V
R
= V
RRM
T
vj
= 25 °C; I
F
= 14 kA; max.
T
vj
= 180 °C
T
vj
= 180 °C
DSC = double sided cooling
SKN 8000P
8 200
90
80
40 000
32 000
4
100
1,15
2)
0,7
0,025
0,005
– 40 ... + 180
– 40 ... + 150
Units
A
kA
kA
kA
2
s
kA
2
s
mA
mA
V
V
mΩ
°C/W
°C
°C
kN
lbs.
g
I
R
V
F
V
(TO)
r
T
R
thjc
T
vj
T
stg
F
SI units
US units
24 ... 30
3)
5400 ... 6750
3)
75
E 41
Features
Medium voltage, high current
rectifier diode pellets for lowest
thermal resistance
Low power dissipation
Especially suited for water
cooling
For direct mounting between the
two heatsinks using the suplied
sealing ring for protection
3)
Typical Applications
Resistance Welding
MF (Medium Frequency)
Resistance Welding
Electroplating
w
Case
1)
Diode chip with a molybdenum disc on either side. Voltage grade, forward voltage drop
class and date code are marked on the pellet.
2)
For parallel connections selected devices are available on request.
3)
Mounting instructions as for SKN 4000 or SKN 6000, see data book pages A – 81/82
(A-205/206)
© by SEMIKRON
0898
B 8 – 47

SKN8000P02相似产品对比

SKN8000P02 SKN8000P06 SKN8000P04
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8200A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8200A, 600V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8200A, 400V V(RRM), Silicon,
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
包装说明 O-XEDB-N2 O-XEDB-N2 O-XEDB-N2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 LOW POWER LOW POWER LOW POWER
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XEDB-N2 O-XEDB-N2 O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 80000 A 80000 A 80000 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 8200 A 8200 A 8200 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 600 V 400 V
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END
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