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NE97733-T1B-A

产品描述S BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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NE97733-T1B-A在线购买

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NE97733-T1B-A概述

S BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE PACKAGE-3

NE97733-T1B-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量0.1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8500 MHz

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PNP SILICON HIGH
FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES
• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
f
T
= 8.5 GHz TYP
• HIGH SPEED SWITCHING CHARACTERISTICS
• NPN COMPLIMENT AVAILABLE:
NE68133
• HIGH INSERTION POWER GAIN:
|S
21E
|
2
= 12 dB at 1 GHz
33 (SOT 23 STYLE)
NE97733
DESCRIPTION
NEC’s NE97733 PNP silicon transistor is designed for
ultrahigh speed current mode switching applications and
microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97733 offers
excellent performance and reliability at low cost.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
REGISTERED
SYMBOLS
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE2
P
T
PART NUMBER
NUMBER
PACKAGE OUTLINE
UNITS
GHz
dB
dB
8.0
20
µA
µA
pF
mW
0.5
MIN
6.0
NE97733
2SA1977
33
TYP
8.5
1.5
12.0
40
100
-0.1
-0.1
0.1
200
3.0
MAX
PARAMETERS AND CONDITIONS
Gain Bandwidth Product at V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA
Noise Figure at V
CE
= -8 V, I
C
= -3 mA
Insertion Power Gain at V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA, f = 1 GHz
Forward Current Gain Ratio at V
CE
= -8 V, I
C
= -20 mA
Collector Cutoff Current at V
CB
= -10 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current at V
BE
= -1 V, I
C
= 0
Feedback Capacitance at V
CB
= -10 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
Total Power Dissipation
Notes:
1. Electronic Industrial Association of Japan.
2. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.
California Eastern Laboratories

NE97733-T1B-A相似产品对比

NE97733-T1B-A
描述 S BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子)
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.1 pF
集电极-发射极最大电压 12 V
配置 SINGLE
最高频带 S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
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