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NE85639-T1

产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小823KB,共26页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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NE85639-T1概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4

NE85639-T1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量0.9 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)9000 MHz
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