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NE85634-T2

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小651KB,共16页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE85634-T2概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NE85634-T2规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6500 MHz
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