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SDB102

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SDB102概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon,

SDB102规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

SDB102相似产品对比

SDB102 SDB104 SDB105 SDB106
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 400V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 175 °C 175 °C 150 °C 175 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 400 V 600 V 800 V
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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